Am Standort Villach entsteht eine Fertigung für besonders leistungsfähige GaN-Chips. Infineon nutzt dafür die 300-Millimeter-Technologie im großvolumigen Produktionsmaßstab. Die Anlage soll eine weltweit einzigartige Produktionskapazität dieser Art schaffen. Rund 1,1 Milliarden Euro werden bis 2034 bereitgestellt. Bestehende Reinraumflächen werden umgerüstet und an neue Prozesse angepasst. Der Produktionsstart ist für das vierte Quartal 2027 vorgesehen. Die Menge der gefertigten Chips orientiert sich am Kundenbedarf.
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Infineon erweitert Villach zum Kompetenzzentrum für skalierbare GaN-Produktion
Mit großformatigen Wafern legt Infineon die Basis für eine leistungsfähige GaN-Produktion. Die Fertigung in Villach verarbeitet Halbleiter auf 300 Millimetern Durchmesser. Dieses Konzept unterstützt hohe Stückzahlen und eine wirtschaftliche Nutzung der Anlagen. Die Prozessführung kann auf wiederholbare Abläufe und industrielle Anforderungen abgestimmt werden. Dadurch wird GaN für den Einsatz in größeren Marktsegmenten skalierbar. Der Standort verbindet neue Fertigungstechnik mit vorhandener Erfahrung bei Leistungshalbleitern. Villach gewinnt als internationales Kompetenzzentrum für diese Technologie weiter an Bedeutung.
Infrastrukturmodernisierung in Villach schafft effiziente Basis für Produktionswachstum künftig
Statt einen neuen Gebäudekomplex zu errichten modernisiert Infineon bestehende Reinräume. Die vorhandenen Flächen werden auf die Anforderungen moderner GaN Fertigung ausgerichtet. Dies nutzt bereits verfügbare Standortressourcen und mindert den Bauaufwand erheblich. Auch Versorgungsanschlüsse und betriebliche Abläufe können weitgehend weiterbestehen und funktionieren. Der Ausbau lässt sich dadurch besser in Etappen organisieren praktisch. Infineon kann Investitionsschritte an die Absatzentwicklung der Produkte anpassen fortlaufend. So verbindet Villach Produktionswachstum mit effizienter Nutzung vorhandener Ressourcen dauerhaft.
Energieeffiziente Galliumnitrid-Chips stärken Stromversorgung moderner elektronischer Systeme in Zukunftsmärkten
GaN-Leistungstransistoren optimieren Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften fördern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung stärkt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Produktionskapazitäten in Villach wachsen bis 2034 entsprechend der Nachfrage
Ende 2027 will Infineon am Standort Villach die Produktion von GaN-Leistungshalbleitern aufnehmen. Für die Jahre bis 2034 ist ein Finanzierungsrahmen von ungefähr 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Der Ausbau erfolgt schrittweise und orientiert sich an der Nachfrageentwicklung. Infineon kann dadurch entscheiden, wann zusätzliche Fertigungsleistung wirtschaftlich erforderlich ist. Die Produktionsmenge bleibt anpassbar und muss nicht vorzeitig festgelegt werden. Das Unternehmen verbindet den langfristigen Aufbau der Infrastruktur mit einer marktgerechten Kapazitätssteuerung.
Europäischer Chips Act finanziert zusätzliche Fertigungskapazitäten für Leistungshalbleiter europaweit
Infineon erhält für die geplante Hochvolumenfertigung 319 Millionen Euro aus dem Europäischen Chips Act. Die Mittel fördern eine Erweiterung der europäischen Produktionslandschaft für moderne Leistungshalbleiter. Damit reagiert Europa auf den steigenden Bedarf an energieeffizienten elektronischen Komponenten in kritischen Anwendungen. Die Fertigung schafft zusätzliche Kapazitäten innerhalb der Region und unterstützt eine robustere Versorgung von Industriekunden. Neben der technologischen Souveränität stärkt das Vorhaben auch Produktionswissen, Investitionsbereitschaft und die langfristige Wettbewerbsposition Europas nachhaltig.
Mit der Umstellung auf 300-Millimeter-Wafer erweitert Infineon seine Fertigungsoptionen erheblich. Bestehende Reinraumkapazitäten werden hierfür technisch angepasst und gezielt weiterentwickelt umfassend. Der Ansatz verbindet Investitionsdisziplin mit einer leistungsfähigen industriellen Skalierung sinnvoll. GaN ermöglicht verlustärmere Stromwandlung bei hohen Schaltfrequenzen in Geräten vieler. Dadurch können wichtige Anwendungen ihren Energiebedarf spürbar deutlich reduzieren langfristig. Die Produktion erhöht europäische Verfügbarkeit für zukunftsrelevante Leistungshalbleiter maßgeblich weiter. Fördermittel unterstützen diesen Ausbau und stabilisieren regionale Wertschöpfungsketten zusätzlich nachhaltig.
